产品简介：
详细参数说明：
IRF5851TRPBF-VB 是一款 N+P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有双通道，其中一个为 N 沟道，另一个为 P 沟道。它支持额定电压为 ±±20V，并具有最大持续电流为 7A（正向）和 -4.5A（反向）。RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为正向 30(mΩ) @ 4.5V 和 22mΩ @ 10V，反向 79(mΩ) @ 4.5V 和 106mΩ @ 10V。此外，正向和反向的阈值电压分别为 0.71V 和 -0.81V。
应用简介：
IRF5851TRPBF-VB 是一种多功能的双通道 MOSFET，适用于多种电路应用。SOT23-6 封装使其易于安装到电路板上。这种型号的 MOSFET 可以在需要 N 和 P 沟道器件的电路中提供可靠的性能，适用于多种领域，包括电子、通信、工业控制等。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-6 |
Dual-N+P |
±20V |
±20V |
1.0/-1.2V |
5.5/3.4A |
|
30/79(mΩ) |
22/55(mΩ) |
|
型号：IRF5851TRPBF-VB
丝印：VB5222
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N+P沟道
- 额定电压：±±20V
- 最大持续电流：7A（正向） / -4.5A（反向）
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：30(mΩ) @ 4.5V（正向） / 79(mΩ) @ 4.5V（反向），22mΩ @ 10V（正向） / 106mΩ @ 10V（反向）
- 阈值电压 (Vth)：0.71V（正向） / -0.81V（反向）
- 封装：SOT23-6
领域和模块应用：
它通常用于电源管理、电源开关、电源转换器、电池保护电路、逆变器等领域的模块。由于其双通道设计，它在设计中具有更大的灵活性，可用于多种电流和电压条件下的应用。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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