产品简介:
应用简介:
FDC6420C-NL是一款N+P沟道MOSFET,适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±±20V,最大电流为7A / -4.5A,具有低导通电阻和高性能。
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产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-6 |
Dual-N+P |
±20V |
±20V |
1.0/-1.2V |
5.5/3.4A |
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30/79(mΩ) |
22/55(mΩ) |
|
型号:FDC6420C-NL
丝印:VB5222
品牌:VBsemi
详细参数说明:
- 类型:N+P沟道MOSFET
- 最大耐压:±±20V
- 最大电流:7A / -4.5A
- 导通电阻:30/79(mΩ) @4.5V, 22mΩ / 106mΩ @10V
- 门源电压:±20Vgs (±V)
- 门阈电压:0.71V / -0.81Vth
- 封装:SOT23-6
领域和模块应用:
该器件可以应用于多个领域的模块设计,主要包括:
1. 电源管理模块:适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的电源开关和逆变器等。
2. 电机驱动模块:可用于需要控制正向和反向电流的电机驱动系统。
3. 高效逆变器:适用于太阳能逆变器、UPS电源等高功率逆变器。
总之,FDC6420C-NL适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用领域的模块设计,包括电源管理、电机驱动和高效逆变器模块等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持:
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