产品简介：
应用简介：
SI3911DV-T1-GE3是一款具有两个P沟道MOSFET的器件，适用于需要同时控制多个P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为-20V，最大电流为-4A，具有低导通电阻和高性能。
适用于需要同时控制多个P沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高压负载开关模块和电动工具等。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-6 |
Dual-P+P |
-20V |
±12V |
-0.6V |
-4A |
100（mΩ） |
75(mΩ) |
|
|
型号：SI3911DV-T1-GE3
丝印：VB4290
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：2个P沟道MOSFET
- 最大耐压：-20V
- 最大电流：-4A
- 导通电阻：75mΩ @4.5V, 100mΩ @2.5V
- 门源电压：12Vgs (±V)
- 门阈电压：-0.6Vth
- 封装：SOT23-6
领域和模块应用：
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。
2. 高压负载开关模块：适用于高压负载开关和电源控制。
3. 电动工具：可用于电动工具中的负极电源控制和负载开关。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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