产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOT23-6 |
Dual-P+P |
-20V |
±12V |
-0.6V |
-4A |
100(mΩ) |
75(mΩ) |
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**型号:** FDC6506P-VB
**丝印:** VB4290
**品牌:** VBsemi
**详细参数说明:**
- **极性:** 2个P沟道
- **额定电压(Vds):** -20V
- **额定电流(Id):** -4A
- **静态导通电阻(RDS(ON)):** 75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V
- **门源极电压(Vgs):** ±12V
- **阈值电压(Vth):** -1.2V 至 -2.2V
- **封装类型:** SOT23-6
领域和模块应用:
以下是该产品可能应用于的一些领域模块:
1. **电源开关模块:** 由于具有两个P沟道MOSFET,FDC6506P-VB可用于电源开关模块,如DC-DC变换器和开关稳压器。这些模块广泛应用于通信设备、电子设备和工业电源应用中。
2. **电池保护:** 该MOSFET可用于电池保护电路,确保电池充电和放电时的安全和高效。这对于便携式电子设备、电动工具和电动汽车非常关键。
3. **电池充电管理:** 在电池充电管理模块中,FDC6506P-VB可以用于电池充电电路,确保电池充电的高效和安全。这对于电动汽车、太阳能充电器和电池储能系统非常重要。
4. **LED驱动:** 由于其P沟道MOSFET特性,该产品还可以应用于LED驱动模块,用于开关和调光LED灯。这对于照明系统、商业照明和照明调光器非常有用。
5. **电流控制:** FDC6506P-VB适用于需要P沟道MOSFET的电流控制模块,例如电流传感器和电流源。它可以帮助实现精确的电流控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性