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FDC6401N-VB 产品详细

产品简介:


应用简介:
FDC6401N-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET),具有两个N沟道晶体管集成在一个封装内

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-6 Dual-N+N 20V ±12V 0.5~1.5V 6A 28(mΩ) 22(mΩ)
型号: FDC6401N-VB
丝印: VB3222
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 20V
- 最大电流: 4.8A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 22mΩ @ 4.5V
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 28mΩ @ 2.5V
- 门源电压 (Vgs): ±12V
- 阈值电压 (Vth): 1.2V 至 2.2V
- 封装: SOT23-6

领域和模块应用:

适用于多种电子设备和应用领域,具有以下主要应用:

1. **电源开关:** FDC6401N-VB可用作电源开关,用于控制电路中的电流流动。其双N沟道设计适合各种开关应用。

2. **电子开关:** 适用于各种电子开关应用,如开关电源、电源分配单元、电源管理模块等。

3. **电流控制:** 可以用于电流控制电路,例如电流限制器和电流源。

4. **电源管理:** 在电源管理模块中,FDC6401N-VB可以帮助控制电源的开关和稳定输出电压。

5. **负载切换:** 可以用于负载切换器,帮助控制负载的连接和断开。

6. **电池保护:** 在锂电池保护电路中,FDC6401N-VB可用于实现电池的充电和放电控制,确保电池的安全运行。

这些应用领域涵盖了各种电子设备和模块,FDC6401N-VB的双N沟道设计使其成为用于控制电流和电压的重要元件,特别是在电源管理和电流控制方面。其高性能和集成设计有助于简化电路设计和减小封装尺寸。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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