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AO4612-VB 产品详细

产品简介:

这是一款集成了N-Channel和P-Channel沟道的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于SOP8封装。其特点包括±60V的额定电压,分别为5.3A和-4.9A的额定电流,低导通电阻等,使其适用于多种功率电子应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P-Channel ±60V 20(±V) 1.8/-1.7V 5.3/-4.9A 29/60(mΩ) 26/55(mΩ)
**详细参数说明:**
- 型号:AO4612-VB
- 丝印:VBA5638
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOP8
- 类型:N+P-Channel沟道
- 额定电压:±60V
- 额定电流:5.3A (N-Channel) / -4.9A (P-Channel)
- 导通电阻:26/55(mΩ)@ VGS=10V,29/60(mΩ)@VGS=4.5V; VGS=±20V
- 阈值电压:±1.9V

领域和模块应用:

**应用领域:**
该器件常用于电源开关、功率放大、电机驱动等领域的模块。在这些模块中,它可以用于功率调节、反向电流保护等功能,提供高效的电能转换和控制。

**作用:**
- 在电源开关模块中,可用于高功率的开关电源的调节和控制。
- 在功率放大模块中,可用于信号放大和功率放大的应用。
- 在电机驱动模块中,可用于电机的双向驱动和控制。

**使用注意事项:**
- 严格按照数据手册提供的最大额定值操作,以防止器件损坏。
- 注意器件的静电敏感性,采取适当的防护措施。
- 在设计中考虑散热和温度管理,确保器件在正常工作温度范围内。
- 遵循适当的焊接和安装标准,以确保可靠的电气连接和机械强度。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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