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SI9933CDY-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

VBsemi SI9933CDY-T1-GE3-VB 是一款SOP8封装的P—Channel沟道场效应晶体管(MOSFET),主要用于电源管理和开关电路中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel -30V 20(±V) -1.7V -7.3A 45(mΩ) 35(mΩ)
**VBsemi SI9933CDY-T1-GE3-VB 产品详细参数说明:**

- **丝印标识:** VBA4338
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOP8
- **通道类型:** 2个P—Channel沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** -30V
- **漏极-源极电流(ID):** -7.3A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压(Vth):** -1.7V

领域和模块应用:

**主要应用领域和模块:**

1. **电源管理模块:** 适用于电源开关控制,可用于直流-直流(DC-DC)变换器。

2. **电流控制模块:** 由于其低导通电阻和高漏极-源极电流,可应用于电流控制模块,如电流源。

**作用:**

- 提供可靠的电源开关控制。
- 在电流控制模块中起到调节电流的作用。

**使用注意事项:**

1. **电压等级:** 确保在规定的电压范围内使用,不要超过产品标称的最大漏极-源极电压。

2. **电流负载:** 注意电流负载不要超过产品的额定电流。

3. **工作温度:** 在规定的工作温度范围内使用,避免超温操作。

以上信息仅为参考,实际使用时请仔细阅读产品手册和规格书,确保正确使用,并遵循厂商的建议和注意事项。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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