产品参数:
VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
20(±V) |
-1.7V |
-7.3A |
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45(mΩ) |
35(mΩ) |
|
型号:CEM4953-VB
丝印:VBA4338
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:2个P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大电流:-7.3A
- 导通电阻(RDS(ON)):35mΩ @ 10V, 45mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 阈值电压(Vth):-1.7V
- 封装:SOP8
领域和模块应用:
**应用领域和模块说明:**
1. **功率开关模块**:
- 由于其两个P沟道MOSFET的特性,CEM4953-VB适用于功率开关模块,可用于控制高电压和高电流的负载。
- 在电源开关、电源逆变器、高功率开关电路中广泛应用。
2. **电源管理模块**:
- 该器件可用于电源管理模块,实现电路的功率控制和管理。
- 在电源供应模块、电池充放电管理、DC-DC转换器中用于高效的能量管理。
3. **电流控制模块**:
- CEM4953-VB的特性使其适用于电流控制应用,可用于调整和限制电流流动。
- 在恒流源、电流调节电路、电流控制开关中用于精确的电流控制。
4. **电源逆变模块**:
- 该器件可用于电源逆变模块,用于将直流电源转换为交流电源。
- 在太阳能逆变器、变频空调、电力电子设备中用于电源逆变和控制。
总结,CEM4953-VB是一款双P沟道MOSFET器件,适用于多种高功率、高电压电子设备和电路中。其特性使其成为功率开关、电源管理、电流控制和电源逆变模块中的关键组件,有助于实现高功率电路的可靠性和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性