AM4929P-T1-PF-VB - VBsemi MOS管制造商

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AM4929P-T1-PF-VB是一种P沟道场效应晶体管 (FET)，它包含了两个独立的P沟道FET，适用于多种电子设备和应用领域

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-P+P-Channel	-30V	20（±V）	-1.7V	-7.3A		45(mΩ)	35(mΩ)

型号: AM4929P-T1-PF-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: P沟道
- 额定电压: -30V
- 最大电流: -7.3A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 35mΩ @ 10V
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 45mΩ @ 4.5V
- 门源电压 (Vgs): ±20V
- 阈值电压 (Vth): -1.7V
- 封装: SOP8

领域和模块应用：

1. **电源开关：** AM4929P-T1-PF-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。它的双P沟道特性使其在开关应用中非常灵活。

2. **电子开关：** 适用于各种电子开关应用，如电源分配单元、开关电路和电源管理模块。

3. **电池保护：** 在锂电池保护电路中，AM4929P-T1-PF-VB可用于实现电池的过放保护，以确保电池的安全运行。

4. **电源管理：** 可以用于电源管理模块，帮助控制电源的开关和稳定输出电压。

5. **电流控制：** 可以用于电流控制电路，例如电流限制器和电流源。

这些应用领域涵盖了各种电子设备和模块，包括电池管理模块、电源管理模块、电子开关、负载切换器和电流控制器。AM4929P-T1-PF-VB的特点使其成为用于控制电流和电压的重要元件，特别是在电池保护和电源管理方面。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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