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TPC8119-VB 产品详细

产品简介:

这款P—Channel沟道MOSFET适用于中高功率和中电压的应用场景

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-P-Channel -30V 20(±V) -2.5V -11.6A 12(mΩ) 11(mΩ)
**详细参数说明:**
- **型号:** TPC8119-VB
- **丝印:** VBA2311
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型: SOP8
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压(VDS): -30V
- 额定电流(ID): -11.6A
- 导通电阻(RDS(ON)): 11mΩ @ VGS=10V,12mΩ@VGS=4.5V;
, VGS=±20V
- 阈值电压(Vth): -2.5V

领域和模块应用:

1. **电源开关模块:** 适用于中高功率的电源开关模块,提供可靠的开关控制。

2. **电源逆变器:** 在中高功率电源逆变器中,将直流电源转换为交流电源,例如高功率逆变器或UPS系统。

3. **电机控制:** 在中高功率电机驱动和控制模块中,作为电流开关,用于实现电机的精确控制。

4. **电池保护:** 用于充电和放电的电池保护电路,控制电流并提供短路保护。

**使用注意事项:**
1. **封装类型:** 确保正确选择和处理SOP8封装,以确保焊接质量和适当的散热。

2. **电压和电流限制:** 不要超过额定的电压和电流参数,以防止器件损坏。

3. **阈值电压:** 在设计中考虑阈值电压,确保在实际应用中得到合适的电压偏置。

在任何应用中,都应仔细阅读产品手册和规格书,以确保正确的使用和操作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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